Ознакомительная версия. Доступно 29 страниц из 145
Спецотдел НИИ-2 по разработке вокодерной техники с 1956 года возглавил А. П. Петерсон, главный конструктор ряда ОКР, изобретатель и автор 60 научных трудов. За большой вклад в разработку спецтехники был награжден орденами Красной Звезды и Трудового Красного Знамени.
21 января 1954 года на базе предприятий и организаций радиотехнической, электровакуумной и телефонно-телеграфной промышленности было создано Министерство радиотехнической промышленности СССР.
В то время при производстве различных видов радиоэлектронной аппаратуры и вычислительной техники применялась технология «навесного монтажа»: дискретные элементы — радиолампы, конденсаторы, сопротивления — соединялись между собой сетью переплетающихся проводов. Все это делало радиоэлектронную продукцию громоздкой, тяжелой, ненадежной и энергоемкой.
Радиолампе требовалась более компактная, экономичная и надежная замена. И она в 1948 году наконец нашлась в виде полупроводниковых транзисторов (от англ. transfer resistor — трансформатор сопротивлений), изобретателями которых считаются американские физики Уильям Шокли, Джон Бардин и Уолтер Бреттейн.
Первый в СССР институт полупроводниковых приборов — НИИ-35 (будущий «Пульсар») — был создан в июне 1953 года. Серийное производство полупроводниковых приборов началось в 1955 году на ленинградском заводе «Светлана». В 1957 году советская электронная промышленность выпустила 2,7 миллионов транзисторов.
В целом характерной особенностью развития электронной отрасли во второй половине 1950-х годов явилось создание сложных конструкций из дискретных миниатюрных радиокомпонентов (резисторов, конденсаторов, бескорпусных транзисторов) по технологии «поверхностного монтажа».
Качество монтажно-сборочных работ стало основной проблемой изготовителей при обеспечении работоспособности и надежности сложных радиотехнических и вычислительных устройств. Дальнейшим развитием технологии «поверхностного монтажа» стали печатные платы, в которых все одиночные проводники были объединены в единое целое и изготавливались одновременно групповым методом путем стравливания медной фольги с поверхности фольгированного диэлектрика.
Применение технологии печатных плат позволило решить проблему повышения надежности контактных соединений между радиодеталями. Естественным развитием этой технологии стало изобретение интегральных микросхем (далее — ИС).
В СССР первые макеты германиевых ИС в 1959 году изготовила группа разработчиков КБ Рижского завода полупроводниковых приборов. Первая отечественная ИС на основе кремния (логическая ячейка, реализующая функцию И(ИЛИ) — НЕ) была разработана в 1961 году в лаборатории Л. Н. Колесова в Таганрогском радиотехническом институте.
Первая отечественная полупроводниковая ИС «Тропа» с двадцатью элементами на кристалле являлась точной копией американской ИС серии SN-51. Она была изготовлена в 1962 году в НИИ-35 коллективом, который в дальнейшем был переведен в НИИ микроэлектроники, обосновавшийся в подмосковном Зеленограде.
Создание опытного производства полупроводниковых микросхем заняло в НИИ-35 три года (1962–1965). Еще два года ушло на освоение серийного производства с военной приемкой (1967). К 1970 году в СССР было произведено 3,5 миллиона полупроводниковых ИС шестидесяти девяти серий. Это позволило советским конструкторам разрабатывать и проектировать сложную радиоэлектронную аппаратуру на новой электронно-компонентной базе (далее — ЭКБ).
Кроме НИИ-1 и НИИ-2 в 1950-е годы в СССР с целью создания современной аппаратуры засекречивания были созданы и начали функционировать также и промышленные научно-исследовательские и проектные организации, в частности особое конструкторское бюро (далее — ОКБ) при Пензенском заводе счетных аналитических машин (далее — САМ) и Калужском электромеханическом заводе.
Они включились в процесс разработки и обеспечения промышленного выпуска аппаратуры криптозащиты телефонных переговоров и телеграфной информации и определили начало процесса активного использования и развития научно-производственного потенциала промышленности в интересах снабжения структур государства техникой защиты информации.
Пензенский завод САМ Минрадиопрома СССР был создан в 1946 году и выпускал настольные станки для приборостроительной промышленности, счетно-аналитические и перфорационные машины. В 1950–1960 годах завод выпускал самые массовые в СССР электронные вычислительные машины (далее — ЭВМ) семейства «Урал» и стал одним из самых главных заводов страны по производству вычислительной техники.
В 1963 году завод был переименован в завод вычислительных электронных машин (далее — ВЭМ) и стал одним из советских первопроходцев в области производства самых мощных советских ЭВМ серии ЕС, а также сверхмощных цифровых вычислительных машин «Эльбрус» и «Урал». Известно, что завод ВЭМ выпускал для ВМФ аппаратуру автоматического засекречивания телеграфной информации.
Несмотря на принятые в то время меры, все еще имело место несоответствие между потребностями заказчиков в лице Министерства обороны, КГБ и других ведомств и возможностями советской промышленности, что определило актуальность создания соответствующих профильных министерств, дополнительных НИИ и заводов, которые расширили бы ресурсы в области разработки и промышленного изготовления нового вида техники защиты информации.
Учитывая это, приказом Госкомитета по радиоэлектронике при СМ СССР от 18 января 1958 года № 34 для указанных целей был создан в Пензе НИИ-3 (Пензенский научно-исследовательский электротехнический институт, ПНИЭИ), а Постановлением ЦК КПСС и СМ СССР от 1 августа 1961 года № 963290 был создан серийный профильный завод «Электроприбор» во Владимире.
Директором НИИ-3 (ПНИЭИ) был назначен Иван Иванович Чернецов (1915–1988), а главным инженером — Михаил Григорьевич Демков, которые для организации своего института отобрали десять специалистов из НИИ-2.
Предприятие развивалось быстрыми темпами, и в связи с производственной необходимостью уже через пять лет в ОКБ работало более ста специалистов. Параллельно создавались общие технические подразделения: отдел стандартизации (руководитель — Калерия Михайловна Лещенко), отдел научно-технической информации (Гавриил Степанович Билин), отдел технической документации (Лидия Перфиловна Бурнина), отдел измерительных приборов (Вячеслав Николаевич Мукин).
В связи с необходимостью внедрения микросхем в разработанную спецаппаратуру специалисты ПНИЭИ неоднократно посещали НИИ точной технологии (далее — НИИТТ) и завод «Ангстрем» в подмосковном Зеленограде. Поездки осуществлялись, как правило, совместно с ведущими специалистами НИИ-2, в частности И. С. Нейманом и А. М. Наносом. За годы своей работы ПНИЭИ внес значительный вклад в решение комплексных проблем криптозащиты информации, развитие техники шифрования информации и ее передачи в сетях и системах засекреченной связи.
В 1971 году И. И. Чернецов объединил научные и производственные учреждения г. Пензы по криптозащите информации в научно-производственное объединение (далее — НПО) «Кристалл» и стал его первым руководителем. Разработанные НПО «Кристалл» системы обеспечения информационной безопасности использовались и используются в Вооруженных силах, войсках правительственной связи, кредитно-финансовых учреждениях.
Ознакомительная версия. Доступно 29 страниц из 145
